酸化膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330187
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172011
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】良好な膜厚再現性を有し、且つHやOHの取り込みが抑制された酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】処理チャンバ1内の半導体ウェハを酸化雰囲気中で加熱して酸化膜を形成する酸化膜形成方法であり、触媒作用で水素を化学的に活性化し得る反応器26内に導入するとともにこの反応器26を水素の発火点以下の温度に加熱して水素ラジカルを生成し、この水素ラジカルを処理チャンバ1内に導入される酸素と反応させて水を生成しつつ半導体ウェハ上に酸化膜を形成して行く酸化膜形成方法である。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内の半導体ウェハを酸化雰囲気中で加熱して酸化膜を形成する酸化膜形成方法であって、触媒作用により水素を化学的に活性化し得る反応器内にこの水素を導入するとともに該反応器を水素の発火点以下の温度に加熱して水素ラジカルを生成する第1の工程と、この水素ラジカルを前記処理チャンバ内に導入される酸素と反応させて水を生成しつつ前記半導体ウェハ上に酸化膜を形成して行く第2の工程とを有することを特徴とする酸化膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/31 E , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-122699 出願人：大見忠弘
酸化膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-342229 出願人：大見忠弘
低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306905 出願人：大見忠弘

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