特許
J-GLOBAL ID：200903061505590001
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354049
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158810
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】トラップ絶縁膜のデータ保持能力が高く、データの信頼性が高い不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】単ゲート型不揮発性半導体メモリにおいて、基板20とゲート電極42との間のゲート絶縁膜41を、基板20側からシリコン酸化膜41a(トンネル絶縁膜)、Al2 O2 膜41b(トラップ絶縁膜)及びシリコン酸化膜41c(トップ絶縁膜)の3層構造とする。トラップ絶縁膜は、Al,Hf、Zr又はLn(ランタノイド元素)を含む酸化物を主成分とする絶縁膜により形成すればよい。トンネル絶縁膜は、シリコン酸化膜よりもバリアハイトが低い材料により形成してもよい。トップ絶縁膜は、シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料により形成してもよい。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された一対の不純物拡散領域と、
前記一対の不純物拡散領域の間の領域上に形成されたトンネル絶縁膜と、
Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 及びLn2 O3 (但し、Lnはランタノイド元素)からなる群から選択された少なくとも1種の酸化物により前記トンネル絶縁膜上に形成されたトラップ絶縁膜と、
前記トラップ絶縁膜の上に形成されたトップ絶縁膜と、
前記トップ絶縁膜上に形成されたゲート電極と
を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (4件)：
H01L21/8247
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP17
, 5F083GA06
, 5F083JA02
, 5F083JA22
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR33
, 5F101BA42
, 5F101BA47
