特許
J-GLOBAL ID：200903061542875040

炭素膜積層体の製造方法、炭素膜製造装置及び表示装置用フィルム

発明者：
猪狩 徳夫

猪狩 徳夫 について

, 
粟津 薫

粟津 薫 について

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池永 訓昭

池永 訓昭 について


出願人/特許権者：
株式会社クラレ

株式会社クラレ について

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石川県

石川県 について


代理人 (1件)： 西脇 民雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-047503
公開番号（公開出願番号）：特開2005-240061
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】必要な硬さが保持され、かつ、透明性と高度なバリア特性に優れた炭素膜積層体の製造方法、炭素膜製造装置及び表示装置用フィルムを提供すること。【解決手段】本発明の炭素膜積層体の製造方法は、炭化水素系ガスと不活性ガスを混合して真空中に導入し、プラズマの点火・消滅を時間的に変調しながら真空中に置かれた物体表面に負の電圧を印加することを特徴とする。このような非晶質炭素膜積層体の製造方法は、被処理物体の表面改質を行うために真空に保持可能な真空槽10と真空槽10内へ原料ガスとしての混合ガスをパルス状に導入するガス供給装置20と真空槽10内の原料ガスを電離させる電力供給源としてのプラズマの点火・消滅を行う点火消滅装置30と物体表面に負の電圧を印加する電圧印加装置40とガス供給装置20と点火消滅装置30及び電圧印加装置40を同期させる制御装置50とを備えた成膜装置により行える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化水素系ガスと不活性ガスとを成膜装置内に供給し、プラズマの点火・消滅を時間的に変調しながら成膜装置内に置かれた物体表面に負の電圧を印加しつつ物体表面に非晶質炭素膜を形成することを特徴とする炭素膜積層体の製造方法。
IPC (3件)：
C23C16/27 ,  B32B9/00 ,  C23C16/515
FI (3件)：
C23C16/27 ,  B32B9/00 A ,  C23C16/515
Fターム (26件)：
4F100AA37B ,  4F100AK01A ,  4F100AK42A ,  4F100AK45A ,  4F100AR00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100EH66B ,  4F100JD03 ,  4F100JD05 ,  4F100JK12 ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN06 ,  4F100JN06C ,  4F100YY00 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA28 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA11 ,  4K030LA18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
  • 光学ガラス素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-292917   出願人：松下電器産業株式会社
  • ハイブリッドパルスプラズマ蒸着装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-006842   出願人：日華化学株式会社, 株式会社不二越, 株式会社オンワード技研, フジタ技研株式会社, 澁谷工業株式会社, 学校法人金沢工業大学, 石川県, 福井県

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