特許
J-GLOBAL ID：200903096288859615
原子層蒸着法を利用した金属層形成方法およびこれを用いた半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371636
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217206
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 原子層蒸着法を利用したステップカバレージが優秀で、所望する抵抗及び伝導度を容易に決定することができ、酸素の拡散を防止できる金属層形成方法、および前記金属層形成方法によって形成された金属層を障壁金属層、キャパシタの下部電極または上部電極として備えた半導体素子を提供する。【解決手段】 反応性金属A、窒素N、反応性金属と窒素との非晶質結合用元素Bの各ソースガスを、原子層蒸着法によって交互にチャンバー内に注入して各原子層を交互に積層させる金属層形成方法、およびこの方法によって形成された金属層を半導体素子の障壁金属層、下部電極または上部電極として備えてなる半導体素子。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に反応性金属A、窒素N、並びに前記反応性金属及び前記窒素の結晶化を防止するためのアルミニウムBの各ソースガスを注入して前記半導体基板上に前記ソースガスを化学吸着させることによって複数の原子層を積層させるA-B-N構造の金属層形成方法であって、前記各ソースガスをパルス形態で交互に注入することによって各原子層が交互に積層されるようにし、前記各ソースガスの注入回数を調節して前記金属層の組成比を調節することを特徴とする原子層蒸着法を利用した金属層形成方法。
IPC (9件)：
H01L 21/285
, C23C 16/34
, C23C 16/44
, H01L 21/203
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/105
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/285 Z
, C23C 16/34
, C23C 16/44 A
, H01L 21/203 Z
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 444 C
, H01L 27/10 621 C
