特許
J-GLOBAL ID：200903061552422028
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308239
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145286
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 窒化シリコン膜をエッチングストッパに用いたSAC(セルフアラインコンタクト)技術によってゲート電極のスペースのSOG膜にコンタクトホールを形成する際、コンタクトホールの非開孔を生じることなく、SOG膜/窒化シリコン膜の選択比を向上する。【解決手段】 半導体基板1上に形成したゲート電極14A(ワード線WL)のスペースを埋め込むSOG膜24の材料に、FT-IRスペクトル強度比(Si-N/Si-O)が5%以下のポリシラザン系無機SOGを使用し、窒化シリコン膜20をエッチングストッパに用いたドライエッチングでゲート電極14A(ワード線WL)のスペースのSOG膜24にセルフアラインでコンタクトホール28、29を形成する際に、エッチングが途中で停止する不具合を防止する。
請求項（抜粋）：
以下の工程(a)〜(c)を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板の主面上に複数の電極配線を形成した後、前記複数の電極配線の上部に窒化シリコン膜を堆積する工程、(b)前記窒化シリコン膜で覆われた前記複数の電極配線の上部に、Si-O結合に対するSi-N結合の割合が5%以下(赤外線スペクトル強度比換算)の無機SOG膜をスピン塗布して、前記複数の電極配線間のスペースに前記無機SOG膜を埋め込む工程、(c)前記窒化シリコン膜をエッチングストッパに用いて前記無機SOG膜をドライエッチングすることにより、前記複数の電極配線間のスペースに接続孔を形成する工程。
IPC (6件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 A
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 M
, H01L 27/08 102 D
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 681 F
