特許

J-GLOBAL ID：200903061691062524

発光装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345180
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 EL層の積層数の低減を図り製造コストを低減する。【解決手段】 絶縁体101上に電極(a)102、EL層103が設けられ、EL層103に対してプラズマ処理が行われる。これによりEL層103の表面近傍にキャリア注入領域104が形成される。その上に電極(b)105を形成して得たEL素子は、EL層103は実質的に単層でありながらキャリア注入効率の高いものとすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体の上に陽極を形成し、該陽極の上にEL層を形成し、該EL層にプラズマ処理を行い、該プラズマ処理を施したEL層の上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 Z

Fターム (7件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界発光素子の電極作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-287255   出願人：テイーデイーケイ株式会社
• エレクトロルミネッセントデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-537410   出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド