特許
J-GLOBAL ID：200903061701274053

プラズマ処理方法

発明者：
北川 英夫

北川 英夫 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149751
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324185
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】基板(薄膜)に対して、基板を厚く(増膜)することなく、基板の表面に基板とは異なる物質を高濃度に導入することができるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマを用いて、基板の表面に前記基板とは異なる物質を導入するプラズマ処理方法であって、導入される前記異なる物質が前記基板中を拡散しない状態を維持することができる時間を照射時間として、前記基板に前記プラズマを照射する照射ステップと、前記プラズマに含まれるイオンが完全に消滅し、且つ、前記基板の表面温度と前記基板の内部温度とが均熱化するまでの時間を非照射時間として、前記基板への前記プラズマの照射を停止する非照射ステップとを有し、前記照射ステップと前記非照射ステップとを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プラズマを用いて、基板の表面に前記基板とは異なる物質を導入するプラズマ処理方法であって、 導入される前記異なる物質が前記基板中を拡散しない状態を維持することができる時間を照射時間として、前記基板に前記プラズマを照射する照射ステップと、 前記プラズマに含まれるイオンが完全に消滅し、且つ、前記基板の表面温度と前記基板の内部温度とが均熱化するまでの時間を非照射時間として、前記基板への前記プラズマの照射を停止する非照射ステップとを有し、 前記照射ステップと前記非照射ステップとを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/265
FI (2件)：
H01L21/318 C ,  H01L21/265 F
Fターム (6件)：
5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (3件)

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