特許
J-GLOBAL ID：200903034962310084

プラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法

発明者：
福田 誠一

福田 誠一 について

, 
寒川 誠二

寒川 誠二 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084568
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296603
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】高周波電界を用いたプラズマによる窒化において、制御性よく、所望の窒素濃度、所望の絶縁膜中での濃度勾配を得ることを課題としている。【解決手段】高周波電界により励起された窒素プラズマを被処理基板51表面に照射して窒素を導入するプラズマ表面処理装置1であって、高周波電界をパルス変調するパルス変調器23を備えたもので、高周波電界をパルス印加することで、窒素濃度のピーク位置を浅くして所望の窒素濃度を得る窒化を実現する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高周波電界により励起された窒素プラズマを被処理基板表面に照射して窒素を導入するプラズマ表面処理装置であって、 前記高周波電界をパルス変調するパルス変調器を備えた ことを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (1件)：
H01L21/31
FI (1件)：
H01L21/31 C
Fターム (7件)：
5F045AB31 ,  5F045AB34 ,  5F045AC15 ,  5F045AF16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045EH19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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