半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333919
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223748
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】今後さらに多発が予想される静電破壊からの半導体装置の保護を確実にし、超高集積化あるいは超高速化する半導体装置の実現を促進する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けられた金属端子と、前記半導体基板の一導電型領域内に形成され、かつ前記金属端子に接続された逆導電型の第1の拡散層をドレインとし、一定電位の電極配線に接続された逆導電型の第2の拡散層をソースとし、前記電極配線に接続されるゲート電極を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタと、前記第2の拡散層に対し一定の離間距離を有して形成され、かつ前記金属端子に接続された逆導電型の第3の拡散層をコレクタとし、前記第2の拡散層をエミッタとし、前記一導電型領域をベースとするラテラル型バイポーラトランジスタとを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた金属端子と、前記半導体基板の一導電型領域に形成され、かつ前記金属端子に接続された1個以上の逆導電型の第1の拡散層と、一定電位の電極配線に接続された1個以上の逆導電型の第2の拡散層とを有し、前記第1の拡散層のうちの一部をドレイン前記第2の拡散層のうちの一部をソースとし前記電極配線に接続されるゲート電極をもつ絶縁ゲート電界効果トランジスタと、前記第1の拡散層の他の一部と前記第2の拡散層の他の一部とが一定の離間距離を有して形成され、前記第1の拡散層の他の一部をコレクタとし前記第2の拡散層の他の一部をエミッタとし前記一導電型領域をベースとするラテラル型バイポーラトランジスタと、を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 27/08 321 H , H01L 27/04 H , H01L 27/06 101 P , H01L 27/06 311 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-035663
特開昭62-069678
特開平4-071274

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