特許

J-GLOBAL ID：200903061734439430

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 吉田 基彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-231515
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060099
出願日： 2006年08月29日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】 薄膜トランジスタの低抵抗のオーミックコンタクト層を酸化亜鉛膜によってバラツキが生じないように形成する。【解決手段】 真性酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層(13、14)形成用膜をスパッタリングにより成膜する。この状態では、オーミックコンタクト層形成用膜は高抵抗である。次に、オーミックコンタクト層形成用膜の上面に、プラズマCVD法により、窒化シリコンからなる第1の保護膜(15、16)形成用膜を成膜する。すると、オーミックコンタクト層形成用膜の抵抗が著しく低下する。この場合、オーミックコンタクト層形成用膜の成膜は、亜鉛をターゲットとして、酸素ガスを用いた反応性スパッタリングにより行うと、ターゲットが1つで亜鉛のみからなるので、低抵抗のオーミックコンタクト層13、14をn型不純物を含まない酸化亜鉛によってバラツキが生じないように形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜下にそれぞれオーミックコンタクト層を介して電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記各オーミックコンタクト層は低抵抗化された酸化亜鉛膜によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28

FI (7件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B

Fターム (50件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD64 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 酸化亜鉛透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234945   出願人：ローム株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-361694   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-223042   出願人：ミノルタ株式会社