特許
J-GLOBAL ID：200903061777441064
薄膜の形成方法及びそれを用いた電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099228
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017726
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】基板上に形成した薄膜を短波長紫外線でパターン状に露光し、熱処理して露光部分を残すことにより簡単に微細パターンを形成する方法を提供する。【構成】基板上に式(1)や式(2)で示した有機金属化合物を重合したシリコンネットワークポリマ薄膜を形成し、次に該シリコンネットワークポリマ薄膜に350nmより短波長の紫外線をパターン状に照射し、次いでこの薄膜を200〜1000°Cに加熱処理すると、露光部分は耐熱性の高いSiO骨格が形成されるために熱処理後も残存し、非露光部は揮発して、エッチング処理無しで導電性(SiC),半導体性(a-Si),絶縁性(SiO2),光透過性(SiO2)等の機能を有する微細薄膜パターンを形成することができる。(但し、R1,R2,R3は炭素数10以下の脂肪族基,フッ素化脂肪族基,芳香族基からなりそれぞれが異なっても互いに同じでもよい。)
請求項（抜粋）：
基板上にシリコンネットワークポリマ薄膜を形成した後、(イ)該シリコンネットワークポリマ薄膜に酸素の存在下で電磁波を照射する工程と、(ロ)該シリコンネットワークポリマ薄膜を酸素の存在下で200〜1000°Cに加熱処理する工程の少なくとも1つの工程を含むことを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/075 511
, G03F 7/36
