特許
J-GLOBAL ID：200903061811992806
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259422
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082693
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】半導体装置のシート抵抗を低減させ、高周波におけるデバイス特性を向上させること。【解決手段】InP 等から成る基板11上にメサエッチングにより島状の半導体導電層12を形成し、その上にAuGe/Ni/Au等から成るオーミック電極13をメタルリフトオフ等により形成する( 図1(a)) 。このメサエッチング及びメタルリフトオフ工程では、有機溶媒を用いて洗浄し、レジストを剥離する。次に窒素雰囲気ガス中でAuGe共晶温度付近で数分間アロイングを行い、半導体導電層12にオーミック電極13の構成材料が拡散したアロイ層14を形成する( 図1(b)) 。続いて半導体導電層12表面のレジスト及びその残渣を除去するために、アロイ温度より低い温度で酸素アッシングを行い、半導体導電層12表面に酸化層15が形成される。このようにして半導体装置100 が形成される( 図1(c)) 。
請求項（抜粋）：
半絶縁性の基板上に少なくとも半導体導電層を備えた半導体装置において、少なくとも熱処理工程を有した製造方法であって、前記熱処理工程の前に前記半導体導電層の表面に存在するレジストを、該表面を酸化させずに除去する工程と、前記熱処理工程の後に前記半導体導電層の表面に存在するレジスト及びレジスト残渣を酸素アッシングにより除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
, H01L 29/80 F
