特許

J-GLOBAL ID：200903061827720180

基板の局部加熱および局部冷却

発明者： アンドレアス ティルマン ,  ディーター ツェルニッケル ,  ソハイラ ショーシュタリアン ,  ナラシムハ アチャルヤ ,  マイク エルバート
出願人/特許権者： マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567023
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526940
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】半導体を熱処理チャンバ内に配置し、半導体ウェハが、半径方向軸線に沿って少なくとも1つの局部領域を規定しており、所定の加熱サイクルに従って、半導体ウェハの温度を所定の温度に調節し、所定の加熱サイクルが加熱段階を含んでおり、所定の加熱サイクルの少なくとも1つの段階中に、所定の温度からの温度偏差を最小限にするように半導体ウェハの少なくとも1つの局部領域の局部温度を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを加熱処理するための方法において、 半導体を熱処理チャンバ内に配置し、前記半導体ウェハが、半径方向軸線に沿って少なくとも1つの局部領域を規定しており、 所定の加熱サイクルに従って、前記半導体ウェハの温度を所定の温度に調節し、前記所定の加熱サイクルが、加熱段階を含んでおり、 前記所定の加熱サイクルの少なくとも1つの段階中に、前記所定の温度からの温度偏差を最小限にするように前記半導体ウェハの少なくとも1つの局部領域の局部温度を制御するステップから成る、半導体ウェハを加熱処理するための方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/26

FI (2件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 T

Fターム (12件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EB13 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045EK30 ,  5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-282437
  
• 試料台
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194874   出願人：ソニー株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001039   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-005822
  

審査官引用 (7件)

• 試料台
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194874   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-282437
  
• 特開昭62-282437
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001039   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-005822
  
• 特開昭62-282437
  
• 特開平4-005822