特許
J-GLOBAL ID:200903061839469610
ステージ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-314378
公開番号(公開出願番号):特開2004-152865
出願日: 2002年10月29日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】本発明は、簡単な構造的で、プレートからの熱損失を低減できるとともに、端子などの金属部品を腐食性の高いプロセスガスから保護することのできるステージを提供する。【解決手段】ステージ1は、ヒータ6が埋設されてこのヒータ6に電力を供給するための端子8が一方の面に露出しているプレート2と、端子8を囲う環状にプレート2に形成される第1シール面12と、端子8を囲う筒状に形成されてプレート2を支持するステム3と、プレート2を支持する側のステム3の端面に環状に形成された第2シール面13と、プレート2を支持する側と反対側の開口端を塞ぐ蓋17と、蓋17を貫通してステム3の内側に通されて端子8に接続される導体19と、蓋17に設けられてステム3の外側のプロセスガスと同じかそれよりも高い圧力の不活性ガスをステムの内側に供給する流路22とを備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
抵抗加熱によって発熱するヒータが埋設されてプロセスガスに曝されるプレートと、
前記プレートの一方の面に露出して前記ヒータに電力を供給する端子と、
前記端子を囲う環状に前記プレートに形成される第1シール面と、
前記端子を囲う筒状に形成されて前記プレートを支持するステムと、
前記プレートを支持する側の前記ステムの端面に沿って環状に形成された第2シール面と、
前記プレートを支持する側と反対側の前記ステムの開口端を塞ぐ蓋と、
前記蓋を貫通して前記ステムの内側に通されて前記端子に接続される導体と、
前記蓋に設けられて不活性ガスを前記ステムの内側に供給する流路とを備えることを特徴とするステージ。
IPC (3件):
H01L21/205
, C23C16/458
, H01L21/3065
FI (3件):
H01L21/205
, C23C16/458
, H01L21/302 101G
Fターム (18件):
4K030CA04
, 4K030GA02
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 5F004AA16
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F045AA04
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045BB08
, 5F045EB10
, 5F045EE14
, 5F045EH04
, 5F045EK09
, 5F045EM02
, 5F045GB05
引用特許:
審査官引用 (5件)
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ガス処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-046344
出願人:東京エレクトロン株式会社
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半導体製造・検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-164645
出願人:イビデン株式会社
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-308749
出願人:松下電器産業株式会社
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