特許

J-GLOBAL ID：200903061865814962

結合体基板および結合体基板の製造方法

発明者： フォルカー ヘルレ ,  ウーヴェ シュトラウス ,  ゲオルク ブリューダール ,  クリストフ アイヒラー ,  アドリアン アヴラメスク
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506909
公開番号（公開出願番号）：特表2009-534289
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

基板ボディ(2)とこの基板ボディ(2)上に固定されている利用層(31)とを備えた結合体基板(1)が提供される。利用層(31)と基板ボディ(2)との間には平坦化層(4)が配置されている。さらには、準備された利用基板(3)上に平坦化層(4)が被着される、結合体基板(1)を製造する方法が提供される。利用基板(3)が結合体基板(1)のための基板ボディ(2)上に固定される。続いて利用基板(3)が除去され、結合体基板(1)のための利用基板(3)の利用層(31)が基板ボディ(2)上に残される。

請求項（抜粋）：

基板ボディ(2)と該基板ボディ(2)上に固定されている利用層(31)とを備えた結合体基板(1)において 前記利用層(31)と前記基板ボディ(2)との間には平坦化層(4)が配置されていることを特徴とする、結合体基板(1)。

IPC (2件)：

C30B 25/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B25/20 ,  H01L33/00 C

Fターム (13件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077HA12 ,  4G077TK13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶半導体材料製自立基板の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-562365   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
• エッチ・バック法を用いた低欠陥SiGeの層移動
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-537047   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション