特許
J-GLOBAL ID：200903061868252604

窒化シリコン膜のドライエッチング方法

発明者：
登坂 久雄

登坂 久雄 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143026
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300478
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】 SF6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、真性アモルファスシリコン膜上の窒化シリコン膜を良好にドライエッチングする。【解決手段】 成膜された真性アモルファスシリコン膜21の上面には窒化シリコン膜22が成膜され、その上面にはレジスト膜23が形成されている。そして、エッチングガスとしてフッ素ガス(100sccm)および酸素ガス(100〜400sccm)の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約2000Å/minであった。この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約400Å/minであった。したがって、この場合の選択比は約5である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フッ素ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより窒化シリコン膜をドライエッチングすることを特徴とする窒化シリコン膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L21/302 104Z ,  H01L21/302 301Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627C
Fターム (36件)：
5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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