特許

J-GLOBAL ID：200903061912098103

高誘電率金属酸化物絶縁膜を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295367
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101014
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 誘電率の高い金属絶縁膜を備えた低リーク且つ高信頼のMIS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン酸化膜よりも熱的に安定な金属酸化物を含むゲート絶縁膜を有するMIS型半導体装置において、ゲート絶縁膜形成後の熱処理が650°Cを超える工程の雰囲気にヘリウムガスを添加し、更にこの熱処理工程の雰囲気中に含まれる酸素及び水の分圧の和を133×1011.703-18114/TPa(Tは熱処理温度(K))以下に制御することで、シリサイド化の抑制と界面酸化膜厚増加の抑制を両立することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に高誘電率金属酸化物膜を形成する工程と、前記高誘電率金属酸化物膜形成工程後に、酸素及び水の分圧の和が、133*1011.703-18114/TPa(Tは前記熱処理温度(K))以下であり、かつ窒素原子よりも原子半径の小さい希ガスが存在する雰囲気下で650°C以上の熱処理を行う工程と、前記高誘電率金属酸化物絶縁膜を用いた機能素子を形成する工程を備えることを特徴とする高誘電率金属酸化物絶縁膜を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (39件)：

4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF13 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348663   出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
• シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-322458   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド