半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348663
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168212
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、金属ゲート電極表面を低温で金属絶縁膜に変え、デバイスの、すなわち、回路・システムの信頼性を向上するデバイス構造、および、その製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、MOSデバイスのゲート電極を金属を用いて形成し、その側壁を金属絶縁膜に改質し、デバイスの信頼性を向上したことを特徴とする。また、良質な金属絶縁膜を、低温で形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1型の電気伝導性の基体と、前記基体の電気伝導性とは逆の第2型の電気伝導性を有し、前記基体中もしくは前記基体上に相互に間隔をあけて配置されて、相互間に基体中のチャネルを画定し、前記基体との電気接続部を形成する第1のソースおよびドレイン領域と、該第1のソースおよびドレイン領域間にあるが、該第1のソースおよびドレイン領域へもしくはいずれの領域へも電気的に直接接触しないように第1の絶縁層を介して、前記チャネルの上に置かれた金属ゲート電極を有する半導体装置において、該金属ゲート電極の該チャネルと接する面以外の少なくとも一部が該金属を含む絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146330 出願人：大見忠弘
特開昭60-189968
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-274674 出願人：大見忠弘

全件表示

前のページに戻る