特許

J-GLOBAL ID：200903061915776595

半導体装置の製造方法

発明者： 小柳 賢一 ,  岸本 光司 ,  本間 哲哉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-080177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275135
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】パー・ハイドロ・シラザン重合体((SiH2 NH)n )を脱水縮合して良好の特性を有するSOG膜を形成する方法を提供する。【解決手段】パー・ハイドロ・シラザン重合体を脱水縮合してSOG膜111を形成する際の熱処理が、水分とオゾンとの共存する雰囲気で行なわれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面の素子形成領域に半導体素子を形成し、該半導体素子を含めて該半導体基板の表面を覆う絶縁膜を形成する工程と、過水素化シラザン重合体((SiH2 NH)n )が有機溶剤に分散された溶液を前記絶縁膜の表面上に塗布し、少なくとも水分(H2 O)とオゾン(O3 )とを含んだ雰囲気で熱処理を行なってSOG膜を形成する工程と、前記SOG膜,絶縁膜を貫通して前記半導体素子に達するコンタクト・ホールを形成する工程と、前記コンタクト・ホールを介して前記半導体素子に接続される金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042770   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• セラミック被覆の低温形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-800027   出願人：ダウコーニングコーポレーシヨン