特許
J-GLOBAL ID：200903061939599457
シミュレーション装置及びシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241463
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087344
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 凝集現象を起こす物質についてのシミュレーションを容易に行うことができ、2次元、3次元のシミュレーションについても容易に変更を可能とすることである。【解決手段】 プロセスフロー10を入力し、その解読を行うプロセスフロー解読部210と、プロセスフロー解読部210の解読結果に基づき、半導体装置の製造工程のプロセスシミュレーションを行うシミュレーション制御部220と、を有し、プロセスシミュレーション部220は、物質反応若しくは拡散工程のシミュレーションについて、物質反応に伴い界面が移動する物質領域を隣接する物質領域と見なして、物質反応若しくは拡散の計算を行い、隣接する物質領域と見なした界面が移動する物質領域を元に戻して、他の物質領域との偏析計算を行うようにしてある。
請求項（抜粋）：
半導体装置の基板と酸化膜との界面に凝集する物質の挙動についてのシミュレーションを行う装置において、前記物質が凝集して形成された層である凝集層は存在しないものとして物質反応若しくは拡散シミュレーションを行う手段と、前記物質反応若しくは拡散シミュレーションにより界面が移動した後の状態について、偏析のシミュレーションを行う手段と、を備えることを特徴とするシミュレーション装置。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, H01L 21/00
, H01L 21/22
, H01L 21/265
, H01L 21/768
H01L 21/316 Z
, H01L 21/316 S
, H01L 21/00
, H01L 21/22 Z
, H01L 21/265 Z
, H01L 21/90 K
