特許
J-GLOBAL ID：200903062021497828

緻密質低熱膨張セラミックスおよびその製造方法ならびに半導体製造装置用部材

発明者：
和田 千春

和田 千春 について

, 
酒巻 誠

酒巻 誠 について


出願人/特許権者：
太平洋セメント株式会社

太平洋セメント株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302340
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：
【要約】【課題】 低熱膨張性で気孔率が小さくボイドの少ない緻密質低熱膨張セラミックスおよびその製造方法を提供すること、および、このような緻密質低熱膨張を用いた半導体製造装置用部材を提供すること。【解決手段】 ユークリプタイトと窒化ケイ素および/または炭化ケイ素とから実質的になり、気孔率が0.5%以下、最大ボイド径10μm以下、10〜40°Cにおける熱膨張係数を1×10-6/°C以下とした緻密質低熱膨張セラミックス。このセラミックスで半導体製造装置用部材を構成する。
請求項（抜粋）：
ユークリプタイトと窒化ケイ素および/または炭化ケイ素とから実質的になり、気孔率が0.5%以下、最大ボイド径10μm以下、10〜40°Cにおける熱膨張係数が1×10-6/°C以下であることを特徴とする緻密質低熱膨張セラミックス。
IPC (6件)：
C04B 35/19 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/584 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N ,  C04B 35/18 A ,  C04B 35/56 101 B ,  C04B 35/58 102 B ,  H01L 21/30 503 Z
Fターム (27件)：
4G001BA22 ,  4G001BA32 ,  4G001BA65 ,  4G001BB22 ,  4G001BB32 ,  4G001BB65 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD05 ,  4G001BE33 ,  4G030AA02 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA47 ,  4G030AA52 ,  4G030AA67 ,  4G030BA18 ,  4G030BA24 ,  4G030HA25 ,  5F031HA02 ,  5F031PA11 ,  5F045BB08 ,  5F045EC05 ,  5F045EM09 ,  5F046CB02 ,  5F046CC01 ,  5F046CC10
引用特許：
審査官引用 (7件)
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