特許
J-GLOBAL ID:200903062027790764

微細空間への金属充填方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加川 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-174016
公開番号(公開出願番号):特開2002-368082
出願日: 2001年06月08日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 シリコン基板等にあけた高アスペクト比の微細孔への空隙等のない金属充填を可能にする。また、試料に反りや割れが発生しないようにする。【解決手段】 微細孔が形成されたシリコン基板14と金属シート15とを試料固定用治具12に固定し、これらを真空チャンバー11内に配置した後、真空チャンバー11内を減圧し、真空チャンバー11内が所定の真空度に達した後、金属シート15を加熱手段16により溶融させ次いで真空チャンバー11内を不活性ガスで大気圧以上に加圧する。これにより、溶融した金属が微細孔内に真空吸入される。次いで真空チャンバーを開放して、試料表面に残った溶融状態の金属を取り除き、その後室温冷却する。高アスペクト比の微細孔に、鬆(す)などを生じさせないで金属を充填できる。また、溶融金属糟等に浸漬する方式と比べて、溶融金属の熱容量が少ないから、試料に反りや割れが生じない。余剰金属を最小限に抑制することができ、コスト低減を図ることができる。
請求項(抜粋):
減圧した真空チャンバー内で、金属を充填すべき微細空間が形成された試料の一面に、前記微細空間を覆うように充填用金属体を配置し、この充填用金属体を加熱溶融させた後、真空チャンバー内を不活性ガスで大気圧以上に加圧して、溶融した金属を微細空間に真空吸入させることを特徴とする微細空間への金属充填方法。
IPC (3件):
H01L 21/768 ,  B22D 19/00 ,  H01L 21/28
FI (3件):
B22D 19/00 Y ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 21/90 R
Fターム (14件):
4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD78 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ86 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34
引用特許:
審査官引用 (5件)
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