特許
J-GLOBAL ID:200903062031648549
熱噴射式比例型ヘッドおよびこのヘッドの製造方法ならびにこのヘッドを備えた機能化システムまたはアドレッシングシステム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-511874
公開番号(公開出願番号):特表2004-503377
出願日: 2001年07月12日
公開日(公表日): 2004年02月05日
要約:
本発明は、所定量の液体を供給するための少なくとも1つの熱噴射式比例型デバイスを具備した噴射式比例型ヘッドであって、デバイスが、液体リザーバを形成するための穴付き平面状基板(21)であって、大きな熱抵抗を有した誘電性絶縁性メンブラン(22,23)と、発熱抵抗(25)を形成するエッチングされた半導体層と、によって被覆された、基板(21)と;液体リザーバに対しての流体連通を可能とし得るようメンブランと半導体層とを貫通して形成されたオリフィス(24)と;メンブラン上においてノズル(27)の形態をなすように光リソグラフィーされた樹脂層であって、ノズルのダクト(28)が、オリフィスと一直線状とされ、ダクトの体積によって、液体の所定供給量が制御されるようになっているような、光リソグラフィーされた樹脂層と;を具備している。
請求項(抜粋):
所定量の液体を供給するための少なくとも1つの熱噴射式比例型デバイスを具備した噴射式比例型ヘッドであって、
前記デバイスが、
-液体リザーバを形成するための穴付き平面状基板(21)であって、大きな熱抵抗を有した誘電性絶縁性メンブラン(22,23)と、発熱抵抗(25)を形成するエッチングされた半導体層と、によって被覆された、基板(21)と;
-前記液体リザーバに対しての流体連通を可能とし得るよう前記メンブランと前記半導体層とを貫通して形成されたオリフィス(24)と;
-前記メンブラン上においてノズル(27)の形態をなすように光リソグラフィーされた樹脂層であって、前記ノズル(27)のダクト(28)が、前記オリフィスと一直線状とされ、前記ダクトの体積によって、液体の所定供給量が制御されるようになっているような、光リソグラフィーされた樹脂層と;
を具備することを特徴とするヘッド。
IPC (4件):
B01J19/00
, B01J4/02
, B05B1/02
, B05C5/00
FI (4件):
B01J19/00 321
, B01J4/02 B
, B05B1/02
, B05C5/00 101
Fターム (27件):
4F033BA03
, 4F033CA01
, 4F033DA01
, 4F033EA01
, 4F033FA00
, 4F033NA01
, 4F041AA01
, 4F041AA16
, 4F041AB01
, 4F041BA10
, 4F041BA12
, 4F041BA17
, 4G068AA02
, 4G068AB11
, 4G068AD16
, 4G068AD47
, 4G068AF12
, 4G068AF31
, 4G075AA13
, 4G075AA39
, 4G075BA10
, 4G075BB10
, 4G075EC01
, 4G075EE12
, 4G075FA01
, 4G075FB02
, 4G075FC15
引用特許: