特許
J-GLOBAL ID：200903062051249209

半導体装置およびその製造方法

発明者：
竹脇 利至

竹脇 利至 について

, 
小田 典明

小田 典明 について

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国宗 依信

国宗 依信 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296621
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】半導体装置の上面方向からの耐衝撃性を向上させる。また、最上層配線の表面の耐食性を向上させる。また、良品/不良品選別過程で電極パッドの表面にプローブを突き当てた際の配線層の上層に生じる亀裂を抑制する。また、良品/不良品選別過程で電極パッドの表面にプローブを突き当てた際の配線層の腐食を防止する。【解決手段】Cu配線112の上部にTi膜116、TiN膜115、パッド金属膜117を順次形成する。不活性ガス中で熱アニールを施し、Ti-Cu層113を形成した後、ポリイミド膜118を形成し、カバースルーホールを設けてパッド金属膜117表面を露出させ、ハンダボール120を接合する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられた電極パッドと、を含み、前記配線層と前記保護膜との間に、前記配線層を構成する元素と異なる異種元素を含む酸化防止層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/12
FI (4件)：
H01L21/92 603D ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 M
Fターム (28件)：
5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033TT02 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX13 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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