ケイ化物層を含む半導体構造とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116994
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315688
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】最終メタライゼーション層とその上に形成される絶縁層および端子層との接続が強化された信頼性の高い半導体デバイス構造を提供する。【解決手段】露出した最終メタライゼーション層を有する構造を形成し、前記最終メタライゼーション層を洗浄し、前記最終メタライゼーション層の上にケイ化物を生成させ、前記ケイ化物上に端子を形成する。前記最終メタライゼーション層のNH3またはH2プラズマ洗浄は、前記ケイ化物の接着を改善する。

請求項（抜粋）：

露出した最終メタライゼーション層を有する構造を形成するステップと、前記最終メタライゼーション層を洗浄するステップと、前記最終メタライゼーション層の上にケイ化物を生成するステップと、前記ケイ化物上に端子を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/302 N , H01L 21/88 M , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-151247
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-137144 出願人：日本電気株式会社
電気的相互接続用薄膜金属バリア層
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-163398 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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