特許
J-GLOBAL ID：200903062062387581
高温リフロースパッタリング方法及び高温リフロースパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200034
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】【課題】 基板の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホールの内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。【解決手段】 基板9に形成された微細なホール90の内面にアルミのベース薄膜93をイオン化スパッタによってカバレッジ性良く作成した後、300°C程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜91を作成する(D)。ホール90内のベース薄膜93が厚いためにリフロー薄膜91の拡散が促進され、ボイド92の無い埋め込みが可能になる。ベース薄膜93は途切れを防止するため150°C以下の温度で作成される。スパッタリング装置はイオン化電極271に高周波を印加してプラズマP’を形成するイオン化手段27を有し、プラズマP,P’中でスパッタ粒子がイオン化される。イオン化スパッタ粒子は電界設定手段28が与える電界によって基板9に垂直に多く入射し、ホール90内のカバレッジが向上する。
請求項（抜粋）：
基板に形成された微細なホール内に金属材料を埋め込む高温リフロースパッタリング方法であって、ホールの側面及び底面に金属材料のベース薄膜を薄く作成する第一の工程と、第一の工程の後、金属材料の薄膜をさらに堆積させてホール内にリフローさせることでホール内に金属材料を埋め込む第二の工程とよりなり、第一の工程では、作成されるベース薄膜の途切れを防止することが可能な第一の温度で基板を加熱し、第二の工程では、第一の温度よりも高い第二の温度で基板を加熱しながらリフローを行うとともに、前記第一の工程では、ターゲットから放出されるスパッタ粒子をイオン化し、このイオン化したスパッタ粒子を基板に垂直な電界によって加速して基板に垂直に多く入射させることを特徴とする高温リフロースパッタリング方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/768
C23C 14/34 S
, C23C 14/34 T
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 L
, H01L 21/90 C
