特許

J-GLOBAL ID：200903062112886037

半導体エピタキシャル基板及びその製造方法

発明者： 水島 一郎 ,  三谷 祐一郎 ,  神林 茂
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134401
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323689
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】低価格で歩留まりの良いシリコンエピタキシャル基板を得る。【解決手段】シリコン単結晶基板上に2-8×1014cm-2のシリコン酸化膜を形成する。その後、その上にアモルファスシリコン層を形成し700°Cでアニールする。

請求項（抜粋）：

シリコン基体の一主面上にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャル基板であって、前記シリコン基体と前記エピタキシャル層界面に酸化膜を有し、その酸化膜の最大酸素濃度が2×1014cm-2乃至8×1014cm-2であることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 27/12 E ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (18件)：

5F045AA06 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045DC61 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076957   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平1-108764
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-245289   出願人：株式会社東芝