特許
J-GLOBAL ID：200903062121358744
半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222452
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064866
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン表面をエッチングすることなしに,銅と自然酸化膜を同時に除去する。【解決手段】 1)少なくとも一部に自然酸化膜を含むシリコン酸化膜の形成された半導体基板を,塩酸,弗酸及び純水を混合液に浸漬して,該酸化膜を該半導体基板から除去すると同時に該半導体基板上の汚染物を除去する, 2)前記混合液を加熱して用いる, 3)前記混合液は,純水を所定温度まで加熱した後,これに塩酸と弗酸を添加し,続いて所定温度まで加熱して調整する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部に自然酸化膜を含むシリコン酸化膜の形成された半導体基板を,塩酸,弗酸及び水の混合液に浸漬し,該酸化膜を該半導体基板上から除去すると同時に該半導体基板上の汚染物を除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
H01L 21/304 341 L
, H01L 21/304 341 M
