特許
J-GLOBAL ID:200903062147390743
高純度シリカ質膜の形成方法及び高純度シリカ質膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池浦 敏明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-282991
公開番号(公開出願番号):特開平11-105187
出願日: 1997年09月30日
公開日(公表日): 1999年04月20日
要約:
【要約】【課題】 SiOH結合を実質的に含有しない高純度シリカ質膜の形成方法を提供する。【解決手段】 基体表面にアルミニウム含有ポリシラザン膜を形成した後、該膜を水蒸気を含む雰囲気中で50〜500°Cで予備加熱し、次いで酸素又は水蒸気を含む雰囲気中で500°C以上の温度で焼成することを特徴とする高純度シリカ質膜の形成方法。
請求項(抜粋):
基体表面にアルミニウム含有ポリシラザン膜を形成した後、該膜を水蒸気を含む雰囲気中で50〜500°Cで予備加熱し、次いで酸素を含む雰囲気中で500°C以上の温度で焼成することを特徴とする高純度シリカ質膜の形成方法。
IPC (3件):
B32B 9/00
, C01B 33/12
, C09D183/16
FI (3件):
B32B 9/00 A
, C01B 33/12 C
, C09D183/16
引用特許:
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