特許
J-GLOBAL ID：200903062160637464

ドライプレーティング積層膜の作製方法

発明者：
吉川 雅人

吉川 雅人 について

, 
大野 信吾

大野 信吾 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290050
公開番号（公開出願番号）：特開2000-104163
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【解決手段】 炭化ケイ素を原料源として連続的に又は間欠的に反応性ガス濃度を変化させてドライプレーティングすることにより、厚み方向に沿って屈折率の異なる薄膜を析出、形成することを特徴とするドライプレーティング積層膜の作製方法。【効果】 本発明によれば、屈折率1.4〜2.8の範囲で厚さ方向に沿って任意の屈折率変化を有する積層膜を確実に形成することができる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素を原料源として連続的に又は間欠的に反応性ガス濃度を変化させてドライプレーティングすることにより、厚み方向に沿って屈折率の異なる薄膜を析出、形成することを特徴とするドライプレーティング積層膜の作製方法。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ,  G02B 1/10
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 M ,  G02B 1/10 Z
Fターム (15件)：
2K009AA00 ,  2K009AA02 ,  2K009BB02 ,  2K009BB14 ,  2K009BB24 ,  2K009CC01 ,  2K009DD04 ,  4K029BA56 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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