特許
J-GLOBAL ID：200903062167737774

記憶素子及びメモリ

発明者：
別所 和宏

別所 和宏 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-318464
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128579
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。【解決手段】 記憶層5に対して中間層4を介して磁化固定層3が設けられ、記憶層5に対して、非磁性層6を介して、磁化の向きが積層方向にほぼ固定されている駆動層7が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層5の磁化M2の向きが変化して記憶層5に対して情報の記録が行われる記憶素子10と、この記憶素子10に対して積層方向の電流を流す電流供給手段とを備え、電流供給手段から記憶素子10に電流が供給される時間の長さにより、記録される情報の内容が変わるメモリを構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層に対して、非磁性層を介して、磁化の向きが積層方向にほぼ固定されている駆動層が設けられている ことを特徴とする記憶素子。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01F10/08 ,  H01F10/26 ,  H01L43/08 Z
Fターム (13件)：
5E049BA23 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM