特許

J-GLOBAL ID：200903062167916814

磁性薄膜及びその形成方法

発明者： 竹房 さなえ
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058364
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 比抵抗値が高く、良好な磁気特性を有する磁性薄膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】 NiイオンとFeイオンとMoイオンと有機酸とを含むめっき浴を用いて、導電膜上に電気めっき法により磁性薄膜を形成する磁性薄膜の形成方法であって、めっき浴中の有機酸の濃度が、めっき浴中のMoイオンの濃度の3〜20倍である。

請求項（抜粋）：

NiイオンとFeイオンとMoイオンと有機酸とを含むめっき浴を用いて、導電膜上に電気めっき法により磁性薄膜を形成する磁性薄膜の形成方法であって、前記めっき浴中の前記有機酸の濃度が、前記めっき浴中の前記Moイオンの濃度の3〜20倍であることを特徴とする磁性薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01F 41/26 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/14

FI (3件)：

H01F 41/26 ,  G11B 5/31 C ,  H01F 10/14

Fターム (7件)：

5D033BA03 ,  5D033DA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049BA14 ,  5E049LC02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 軟磁性めっき薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-262354   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217590   出願人：株式会社日立製作所
• 特公昭49-015141
  
• 特公昭49-015141