特許

J-GLOBAL ID：200903062229256700

エッチング方法

発明者： 原田 彰俊
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 別役 重尚 ,  村松 聡 ,  後藤 夏紀 ,  池田 浩 ,  二宮 浩康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145849
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317889
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】所望のエッチング形状を簡便に得ることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン基材46上に酸化膜47、有機系反射防止膜48及び所定のマスクパターンを呈するレジスト膜49が形成されたウエハWを基板処理装置10のサセプタ12の上面に吸着保持し、有機系反射防止膜48におけるレジスト膜49によって覆われていない部分をエッチングし、Arガスから発生した陽イオンによってサセプタ12に対向して配置され且つシリコンからなる上部電極板39をスパッタリングし、該上部電極板39からシリコン元素を放出させてウエハWのレジスト膜49にシリコン含有膜50を形成し、酸化膜47の露出した部分をシリコン含有膜50と共にエッチングし、さらに、レジスト膜49及び残りの有機系反射防止膜48をエッチングする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

酸化膜及び該酸化膜上に形成されたレジスト膜を有する基板を収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記収容室内の空間に晒される暴露部材とを備え、前記収容室内に生成されたプラズマによって前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記暴露部材の少なくとも一部がシリコン含有材からなる基板処理装置におけるエッチング方法であって、 前記暴露部材をプラズマによってスパッタリングするスパッタリングステップと、 前記酸化膜をプラズマによってエッチングする酸化膜エッチングステップとを有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (15件)：

5F004AA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB03 ,  5F004EA04 ,  5F004EA22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-174724号公報
  

審査官引用 (4件)

• 電子装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022713   出願人：ソニー株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-265661   出願人：日本ビクター株式会社
• エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149825   出願人：株式会社アルバック
• 特開平3-174724