特許

J-GLOBAL ID：200903050782748915

エッチング装置

発明者： 林 俊雄 ,  陳 巍 ,  杉田 吉平
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149825
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343775
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】構造を簡素化でき、干渉の問題が伴わず、高効率のプラズマを形成でき、良好な垂直エッチング性を得ることができるエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明によるエッチング装置においては、基板電極と対向する位置に設けた接地電極を誘電体により電位的に浮遊状態とした対向電極として構成し、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルの任意の位置からコンデンサを介して対向電極に高周波電力を分岐して、誘導放電用高周波電力の一部を対向電極に分け、対向電極に自己バイアスを発生するように構成したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内にガスを導入して、高周波によって誘導放電プラズマを形成すると共に基板電極に高周波電力を印加して基板電極に負の自己バイアスを発生するように構成したエッチング装置において、基板電極と対向する位置に設けた接地電極を誘電体により電位的に浮遊状態とした対向電極として構成し、誘導放電を発生させる高周波アンテナコイルの任意の位置からコンデンサを介して対向電極に高周波電力を分岐して、誘導放電用高周波電力の一部を対向電極に分け、対向電極に自己バイアスを発生するように構成したことを特徴とするエッチング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 C

Fターム (41件)：

4G075AA30 ,  4G075AA52 ,  4G075AA57 ,  4G075AA61 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA15 ,  4G075CA25 ,  4G075CA42 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC02 ,  4G075EC21 ,  4G075EE12 ,  4G075FB01 ,  4G075FB03 ,  4G075FC15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 反応性イオンエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-123897   出願人：日本真空技術株式会社
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-122869   出願人：日本真空技術株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-341367   出願人：株式会社日立製作所