特許
J-GLOBAL ID:200903062270362584
2次電池保護用半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 均
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-230151
公開番号(公開出願番号):特開2007-049796
出願日: 2005年08月08日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】 各検出回路毎に定めた遅延時間だけ遅延させる遅延回路と、この遅延回路の遅延時間を所定の比率で短縮する短縮回路を備えることにより、ICチップ面積の増加を抑え、複数種類の放電過電流に対応可能な保護用半導体装置を提供する。【解決手段】 このバッテリパック20は保護用半導体装置1と、2次電池21と、放電制御用NMOSトランジスタM21と、充電制御用NMOSトランジスタM22と、コンデンサC21と、抵抗R21と、抵抗R22とを備えて構成される。またプラス端子22とマイナス端子23を備えている。尚、プラス端子22とマイナス端子23には充電器もしくは負荷装置30が接続されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
充電によって2次電池の電圧が第1の電圧を超える過充電と、放電によって前記2次電池の電圧が第2の電圧を下回る過放電と、前記2次電池の充電電流が増加して接地電位に対する電流検出端子の絶対値電圧が第3の電圧以上になる充電過電流と、前記2次電池の放電電流が増加して前記電流検出端子の絶対値電圧が第4の電圧以上になる放電過電流と、短絡電流を検出して前記2次電池を保護する2次電池保護用半導体装置であって、
前記電流検出端子は、充電時は充電電流を前記2次電池の前記接地電位に対してマイナス電圧に変換し、放電時はプラス電圧に変換して検出し、
少なくとも放電時の検出回路として、前記電流検出端子の電圧が前記第4の電圧を超えたことを検出する第1放電過電流検出回路と、前記電流検出端子の電圧が前記第4の電圧より高い第5の電圧を超えたことを検出する第2放電過電流検出回路を備え、
前記第1放電過電流検出回路及び第2放電過電流検出回路の出力を、当該各検出回路毎に定めた遅延時間だけ遅延させる遅延回路と、前記電流検出端子に所定のマイナス電圧以下の電圧が印加された場合または第6の電圧以上のプラス電圧が印加された場合に前記遅延時間を所定の比率で短縮する遅延時間短縮信号を生成する短縮回路と、を備えたことを特徴とする2次電池保護用半導体装置。
IPC (3件):
H02H 7/18
, H01M 10/44
, H02J 7/00
FI (3件):
H02H7/18
, H01M10/44 P
, H02J7/00 S
Fターム (24件):
5G003AA01
, 5G003BA01
, 5G003CA04
, 5G003CA14
, 5G003CC02
, 5G003DA07
, 5G003GA01
, 5G003GC04
, 5G003GC06
, 5G053AA01
, 5G053AA02
, 5G053AA09
, 5G053AA12
, 5G053BA01
, 5G053BA04
, 5G053CA02
, 5G053EA03
, 5G053EA09
, 5G053EC03
, 5H030AA03
, 5H030AA04
, 5H030BB00
, 5H030FF42
, 5H030FF44
引用特許: