特許

J-GLOBAL ID：200903062279288280

CMOSイメージセンサ及びその製造方法

発明者： 舟木 正紀
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160619
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】 フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用MOSFETとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したCMOSイメージセンサにおいて、前記アンプ用MOSFETのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用MOSFETのソースと前記アンプ用のMOSFETの前記ウェルとを同電位とした。

請求項（抜粋）：

フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用MOSFETとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したCMOSイメージセンサにおいて、前記アンプ用MOSFETのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用MOSFETのソースと前記アンプ用のMOSFETの前記ウェルとを同電位としたことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

Fターム (18件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024CA05 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA02 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光電変換装置と半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007328   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055028   出願人：株式会社東芝
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232957   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社