特許
J-GLOBAL ID：200903062299289975
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243654
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにMOS界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。【解決手段】ゲート電極8以外の電極で、単結晶炭化珪素基板1とコンタクトされ、ゲート絶縁膜7が単結晶炭化珪素基板(エピタキシャル層2)とフィールド絶縁膜3(図17ではゲート電極204を熱酸化して形成した絶縁膜205、206およびゲート絶縁膜203の周辺部分)とゲート電極8とによって全周囲を囲まれた後に、ゲート絶縁膜7を形成した熱酸化温度よりも低い温度であって、かつ、単結晶炭化珪素と金属とのコンタクト・アニールに十分な温度(例えば900°C以上)で加熱処理を施された金属電極(裏面電極10)を備えた炭化珪素半導体装置。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を、前記ゲート絶縁膜と反応しない電極部材と、前記ゲート絶縁膜と反応しない絶縁膜と、単結晶炭化珪素基板とで被った後に、加熱処理を行ったことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 655
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 655 A
