特許

J-GLOBAL ID：200903062341961913

薄膜型電子源及びその作製方法、及び画像表示装置

発明者： 楠 敏明 ,  佐川 雅一 ,  鈴木 睦三 ,  榊 洋一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170454
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367503
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】無欠陥の薄膜型電子源アレイの作製を容易にし、画素欠陥のない画像表示装置を提供する。【解決手段】薄膜型電子源アレイの上部電極13への給電線となる上部バス電極16、17の下に、第2保護絶縁層19を形成し、電子放出部を制限する保護絶縁層14の欠陥を被覆する。

請求項（抜粋）：

下部電極と、上部電極と、前記両電極間に挟まれた電子加速層とを有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することにより前記上部電極側より電子を放出する薄膜型電子源であって、前記電子加速層を制限し前記下部電極を保護する第1保護絶縁層と、前記上部電極の給電線となる上部バス電極との間に第2保護絶縁層を設けてなることを特徴とする薄膜型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 M ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 M

Fターム (10件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE02 ,  5C036EE08 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜型電子源及び薄膜型電子源マトリクス並びにそれらの製造方法並びに薄膜型電子源マトリクス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250279   出願人：株式会社日立製作所
• MIM構造素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213744   出願人：株式会社日立製作所