強誘電体メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242403
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリに関し、MFMISトランジスタの構造に簡単な改変を加え、強誘電体からなるゲート絶縁膜に加わる電圧の割合を増加させ、強誘電体メモリの低電圧動作を可能にしようとする。【解決手段】 p-Si半導体基板1上に積層形成されたSiO2 からなるゲート絶縁膜2及びフローティング・ゲート3及びPZTからなるゲート絶縁膜4及びコントロール・ゲート5と、ゲート外側のn+ -ソース領域6上に積層形成され前記SiO2 に比較して誘電率が高い窒化Si膜9及びフローティング・ゲート3と電気的に結ばれた多結晶Siからなる付加容量電極10で構成された付加容量とを備えたフローティング・ゲート型MFMISトランジスタが含まれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層形成された酸化物からなるゲート絶縁膜及びフローティング・ゲート及び強誘電体からなるゲート絶縁膜及びコントロール・ゲートと、ゲート外側の不純物拡散領域上に積層形成され前記酸化物に比較して誘電率が高い常誘電体からなる誘電体膜及び前記フローティング・ゲートと電気的に結ばれた付加容量電極で構成された付加容量とを備えたフローティング・ゲート型MFMISトランジスタが含まれてなることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267177 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-036965
特開平2-226761

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