特許
J-GLOBAL ID：200903062349336457
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275524
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130919
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 成形作業性,半田実装時の耐クラック性とともに、高温高湿度雰囲気下での保存信頼性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。そして、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度(高化式フローテスターを用い175°Cで測定した最低溶融粘度)が10〜150ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態(160°C×20時間×100%RH)下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が5ppm以下、ハロゲンイオン含量が50ppm以下、抽出水(100メッシュパス硬化粉に対して10重量倍の水を使用)の電気伝導度が70μV/cm以下となるよう設定されている。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度(高化式フローテスターを用い175°Cで測定した最低溶融粘度)が10〜150ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態(160°C×20時間×100%RH)下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が5ppm以下、ハロゲンイオン含量が50ppm以下、抽出水(100メッシュパス硬化粉に対して10重量倍の水を使用)の電気伝導度が70μV/cm以下となるよう設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。
IPC (5件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/18 NKK
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJR
