特許
J-GLOBAL ID：200903062424279650
改良されたSOIボディコンタクト構造を有するトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214662
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058857
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 “BC”型ボディコンタクトSOIトランジスタ、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 実効トランジスタ幅から重なり公差を取り除く。幅は、上側ではRXにより定められるが、下側ではPCにより定められる。好適な実施例では、SOIトランジスタの上部と、上部に対し鏡像の下部とからなる構造を用いて、PC/RX重なりの影響が、正反対となるようにする。上部と下部とは、共通のボディ領域212により接続されている。下部では、“上方向”へのミスアライメントはデバイス幅を大きくし、“下方向”へのミスアライメントはデバイス幅を小さくする。したがって、PCがRXに対しミスアライメントされると、トランジスタの上部における幅の誤差はトランジスタの下部により正確に相殺される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されるボディコンタクトSOIトランジスタデバイスにおいて、ゲートにより分離されるソースおよびドレインを有するトランジスタを備え、前記ゲートは、前記ゲートとのコンタクトのためにポリシリコン層により形成されるボディコンタクトを有し、活性シリコンを露出する所定形状のフィールド酸化物開口が、トポロジーで形成され、前記トポロジーはゲート構造に重なり、前記ゲート構造は、ソースおよびドレインを分離し、および所定形状のフィールド酸化物開口上の直線状の延長領域と、前記直線状の延長領域に対し垂直の領域とを有して前記トランジスタのゲートを定め、前記トランジスタの第1のゲート領域が、前記ゲートのトポロジーを上から見て、第2の鏡像ゲート領域により鏡対称化され、これにより前記第2の鏡像ゲート領域において、フィールド酸化物開口へのゲートトポロジーの重なり効果は正反対であり、第1の方向におけるミスアライメントが、トランジスタのデバイス幅をより大きくし、第1の方向に反対の第2の方向におけるミスアライメントが、実効トランジスタ幅から重なり公差を除去するためにデバイス幅をより小さくすることを特徴とするボディコンタクトSOIトランジスタデバイス。
FI (2件)：
H01L 29/78 626 B
, H01L 29/78 617 K
