特許
J-GLOBAL ID：200903062445291782
光電変換装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111079
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された各種薄膜のレーザスクライブを、加工性よく、より高い自由度をもって行うことにより、安定して、精度よく、高品質の光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の電極層の分割をYAGレーザの基本波、第2高調波、および第3高調波のいずれかを用いて行い、半導体層の接続用開口部の開口をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、第2の電極層の分割をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、基板周縁部の第1の電極層、半導体層、および第2の電極層の部分的な除去をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、各層の加工のすくなくとも1つは、 YAGレーザの第3高調波を用いて行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極層を複数の領域に分割して形成し、この第1の電極層上に2つの第1の電極層上にまたがって一方の第1の電極層上に開口した接続用開口部を有する半導体層を形成し、この半導体層上に、前記接続用開口部を介して一方の第1の電極層と電気的に接続した、複数に分割された第2の電極層を形成し、前記基板の周縁部の前記第1の電極層、半導体層、および第2の電極層を部分的に除去して、発電領域と周縁領域とを電気的に分離することからなる光電変換装置の製造方法において、前記第1の電極層の分割をYAGレーザの基本波、第2高調波、および第3高調波のいずれかを用いて行い、前記半導体層の接続用開口部の開口をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、前記第2の電極層の分割をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、前記基板周縁部の前記第1の電極層、半導体層、および第2の電極層の部分的な除去をYAGレーザの第2高調波または第3高調波を用いて行い、前記各層の加工のすくなくとも1つは、 YAGレーザの第3高調波を用いて行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, B23K 26/00
, H01L 21/301
B23K 26/00 D
, H01L 31/04 S
, H01L 21/78 B
4E068AD00
, 4E068CA04
, 4E068DA09
, 5F051AA05
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051GA03
