特許
J-GLOBAL ID：200903062449020473

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
田村 暢征

田村 暢征 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312463
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204003
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 製造コストを上昇させることなく、不揮発性半導体記憶装置の微細化及び低電圧化を可能とする昇圧回路の容量素子を得られるようにする。【解決手段】 半導体基板11上に区画された記憶回路領域Rmem にはトンネル絶縁膜13、浮遊ゲート電極14、記憶素子容量絶縁膜18及び制御ゲート電極19からなる記憶素子が形成されており、また容量領域Rcap には下部電極24、容量素子容量絶縁膜25及び上部電極26からなる容量素子が形成されている。ここで、容量素子の下部電極24は板状の導電膜が加工されてその表面積が増大するように形成されている。また、浮遊ゲート電極14と下部電極24とは同時に形成された導電膜より形成され、記憶素子容量絶縁膜18と容量素子容量絶縁膜25とは同時に形成された絶縁膜より形成され、制御ゲート電極19と上部電極26とは同時に形成された導電膜より形成されている。
請求項（抜粋）：
下部電極、容量素子容量絶縁膜及び上部電極からなる容量素子を含む昇圧回路と記憶素子とを備え、前記下部電極は、その形状が加工されることによって前記下部電極の表面積を増大させていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (8件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 G ,  H01L 27/04 C
Fターム (32件)：
5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038BG03 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083GA09 ,  5F083GA19 ,  5F083JA04 ,  5F083LA10 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR49 ,  5F083PR52 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA46 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BE14 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM