特許

J-GLOBAL ID：200903062461640592

半導体装置

発明者： 吉田 満
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228970
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043868
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 パワーMOSFETへの過電圧印加を防止し、またが過熱状態であっても、安定した保護動作を可能ならしめる半導体装置を提供する。【解決手段】 パワーMOSFET(M100)と、このM100の外部ゲート端子(IN)及び外部ソース端子(GND)と、M100のゲートに所定の電圧以上の高電圧が印加されないように、前記外部ゲート端子(IN)に入力する入力電圧を検出し過電圧を通視する高ゲート電圧遮断回路1と、M100の温度を検出する温度検出回路2と、高ゲート電圧遮断回路1が所定の電圧以上の電圧を検出したとき、又は温度検出回路2が所定の温度以上の温度を検出したとき、この検出結果をラッチするラッチ回路3と、ラッチ回路3のラッチ状態に基づきM100を制御するゲート遮断回路4とからなる半導体装置であって、外部ゲート端子(IN)にアノードが接続され、カソードが高ゲート電圧遮断回路1に接続されるダイオード(D20)を設ける。

請求項（抜粋）：

パワーMOSFETと、このパワーMOSFET用の外部ゲート端子及び外部ソース端子と、前記パワーMOSFETを過熱及び過電圧から保護するための保護回路とを少なくとも含む半導体装置において、前記パワーMOSFETのゲートに負電圧が印加されないように、前記パワーMOSFETのゲートと前記外部ゲート端子との間に、ダイオードを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 1/52 ,  H03F 1/30 ,  H03F 3/21

FI (3件)：

H03F 1/52 B ,  H03F 1/30 A ,  H03F 3/21

Fターム (31件)：

5J090AA01 ,  5J090AA41 ,  5J090CA02 ,  5J090CA57 ,  5J090CN03 ,  5J090FA20 ,  5J090FN06 ,  5J090HA10 ,  5J090HA14 ,  5J090HA15 ,  5J090HA19 ,  5J090HA25 ,  5J090HA39 ,  5J090KA00 ,  5J090MA21 ,  5J091AA01 ,  5J091AA41 ,  5J091CA02 ,  5J091CA57 ,  5J091FA20 ,  5J091FP01 ,  5J091FP06 ,  5J091GP02 ,  5J091HA10 ,  5J091HA14 ,  5J091HA15 ,  5J091HA19 ,  5J091HA25 ,  5J091HA39 ,  5J091KA00 ,  5J091MA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-234573   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体素子の保護回路ならびにこれを有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031579   出願人：株式会社日立製作所