特許

J-GLOBAL ID：200903062465714299

樹脂封止した半導体装置

発明者： 中村 卓義 ,  丹波 昭浩 ,  小川 敏夫 ,  山田 一二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228492
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】パワー回路部と制御回路部との間を樹脂封止したパワーモジュールにおいては、制御回路部品の温度が上昇し、制御回路が誤動作する可能性がある。【解決手段】パワー回路部と制御回路部との間に、パワー回路部封止樹脂と熱伝導率の異なる絶縁体を介在させる。【効果】制御回路部の温度上昇を抑え、制御回路の誤動作を防ぐことができ、高信頼のパワーモジュールを実現できる。

請求項（抜粋）：

放熱手段を備え、半導体素子を備えた主回路部と、該主回路部を制御する制御回路部と、前記主回路部および制御回路部に接続される外部入出力端子と、を備えた半導体装置において、前期主回路部は樹脂封止され、前記制御回路部は前記主回路部の上方に配置され、該主回路部と該制御回路部との間に、主回路部封止樹脂と熱伝導率の異なった絶縁体が介在することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/28 K ,  H01L 23/30 B

Fターム (16件)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109DA06 ,  4M109DB02 ,  4M109DB07 ,  4M109DB10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA13 ,  4M109EB03 ,  4M109EB13 ,  4M109EC06 ,  4M109EE05 ,  4M109GA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-016554
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-304933   出願人：富士電機株式会社
• パワー半導体装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-329679   出願人：三菱電機株式会社
• 電動機を制御する電力モジユール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337574   出願人：テミツクテレフンケンマイクロエレクトロニツクゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 混成集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-249708   出願人：三洋電機株式会社