半導体表面洗浄剤及び洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159893
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340182
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】半導体表面に存在する不純物金属と有機物やパーティクル等を同時に除去することができる表面洗浄剤及びこれを用いた洗浄方法の提供。【解決手段】ホスホン酸系キレート剤1種以上と、オゾン又は/及びフッ素イオンを含んでなる、半導体表面洗浄剤及びこれを用いた洗浄方法。

請求項（抜粋）：

ホスホン酸系キレート剤1種以上と、オゾン又は/及びフッ素イオンを含んでなる、半導体表面洗浄剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 , C11D 7/02 , C11D 7/08 , C11D 7/36

FI (4件)：

H01L 21/304 647 A , C11D 7/02 , C11D 7/08 , C11D 7/36

引用特許：

審査官引用 (2件)

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