特許
J-GLOBAL ID：200903062539769422

層に開口を所期のように局所的に形成するための方法

発明者：
マティアス クレンケ

マティアス クレンケ について

, 
ギュンター シンドラー

ギュンター シンドラー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016149
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 層に開口を所期のように局所的に形成するための方法を改良して、開放したい層の所期の局所的な開口の形成を可能にし、この開放したい層を開口の領域以外はできるだけ損傷させないような方法を提供する。【解決手段】 基板1,5,7,9上に、場合によっては構造体が位置する基板上に、補助材料13から成る少なくとも1つの隆起した補助構造体11を被着させ、その結果、該補助構造体11が前記基板1,5,7,9の表面の一部を覆い、開放したい層15を前記補助構造体11に被着させ、その結果、該開放したい層15が基板1,5,7,9の関連した表面領域と前記補助構造体11とを覆い、ほぼ平坦なエッチングによって、補助構造体11における前記層15が開放されかつ補助材料13が露出されるまで前記層15の材料と、場合によっては表面に存在する別の材料とを取り除く。
請求項（抜粋）：
層(15)、特にマイクロエレクトロニクス構造体の保護層に開口を所期のように局所的に形成するための方法において、基板(1,5,7,9)上に、場合によっては構造体が位置する基板上に、補助材料(13)から成る少なくとも1つの隆起した補助構造体(11)を被着させ、その結果、該補助構造体(11)が前記基板(1,5,7,9)の表面の一部を覆い、開放したい層(15)を前記補助構造体(11)に被着させ、その結果、該開放したい層(15)が基板(1,5,7,9)の関連した表面領域と前記補助構造体(11)とを覆い、ほぼ平坦なエッチングによって、補助構造体(11)における前記層(15)が開放されかつ補助材料(13)が露出されるまで前記層(15)の材料と、場合によっては表面に存在する別の材料とを取り除くことを特徴とする、層に開口を所期のように局所的に形成するための方法。
IPC (3件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (11件)：
5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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