特許
J-GLOBAL ID：200903062546627684

酸化物半導体受光素子

発明者：
藤井 哲雄

藤井 哲雄 について

, 
▲高▼水 大樹

▲高▼水 大樹 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128307
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283132
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】 暗電流を低減するとともに、応答速度の低下を抑制することができる、ZnO系酸化物半導体からなる酸化物半導体受光素子を提供すること。【解決手段】 光導電セル1は、基板2と、この基板2の上に成長させられたn型MgZnO層3とを備えている。n型MgZnO層3は、ZnOにMgが含有されたMgxZnx-1O(ただし、0≦x≦1)混晶からなる。また、n型MgZnO層3には、たとえば、1×1016cm-3〜1×1020cm-3のドーピング濃度で、窒素がドーピングされている。そして、このn型MgZnO層3には、n型MgZnO層3における受光により発生する電気信号を取り出すためのオーミック電極4(オーミック電極41およびオーミック電極42)がオーミック接合されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)からなり、少なくとも外部からの光を受光する受光領域に窒素がドーピングされた受光層と、 前記受光領域における受光により発生する電気信号を取り出すための電極と、を含む、酸化物半導体受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/108
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L31/10 C
Fターム (7件)：
5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MA20 ,  5F049MB01 ,  5F049MB11 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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