特許

J-GLOBAL ID：200903062558396300

半導体装置およびその製造方法

発明者： 森本 豊太 ,  新居 英明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099171
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】ブリッジングの発生を招くこと無くシート抵抗を低減できるMOSトランジスタの製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上にゲート電極6を形成する工程と、しかるのち、ソース拡散層13a,ドレイン拡散層13bを形成する工程と、全面にTi膜14を堆積し、熱処理によってTiSi2 層15a,15bを形成する工程と、未反応のTi、並びにTiSi2 以外のTi化合物を過酸化水素水と硫酸との混合溶液(H2 O2 :H2 SO4 =1:1)を用いて選択的に除去する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された素子分離絶縁膜と、この素子分離絶縁膜で区分された素子形成領域に形成されたシリコンを主成分とする拡散層と、この拡散層上に形成された高融点金属のシリサイド層と、前記素子分離絶縁膜上に形成された、前記シリサイド層を構成する高融点金属の酸化物とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-270870
  
• 特開平2-001944
  
• 集積回路の種々の厚さの耐火性金属シリサイド層を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-151873   出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-252356   出願人：株式会社東芝