半導体ウエハの製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-062103
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273742
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】半導体基板に形成されたトレンチの内部に空洞を残すことなく、トレンチ内を結晶品質の高いエピタキシャル膜で埋めること。【解決手段】第1導電型の半導体基板1にトレンチ4を形成する。この基板1をガス炉内に入れ、炉内にエッチングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ4内の露出面を数nm〜1μm程度エッチングし、トレンチ4内の露出面を清浄表面とする。また、このエッチングにより、トレンチ4を上に向かって開き気味の形状とする。このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ4内に第2導電型の半導体6をエピタキシャル成長させ、トレンチ4を埋める。トレンチ4を上に向かって開き気味の形状とする代わりに、トレンチ4の側面を、ファセットを形成する面としてもよい。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面層に所望のパターンのトレンチを形成する工程と、ガス炉内で、該炉内にエッチングガスを供給することにより、前記トレンチ内の露出面をエッチングする工程と、前記エッチングが終了した後に、前記トレンチ内に第2導電型の半導体をエピタキシャル成長させて、前記トレンチを埋める工程と、を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/336 , H01L21/205 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 658E , H01L21/205 , H01L29/78 652H , H01L29/78 658G , H01L29/72 , H01L29/91 B

Fターム (14件)：

5F003AP06 , 5F003AZ01 , 5F003BA27 , 5F003BP33 , 5F003BP94 , 5F003BZ02 , 5F003BZ04 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AF03 , 5F045BB17 , 5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-307657 出願人：株式会社デンソー
半導体装置とそれを用いたパワースイッチング駆動システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-349785 出願人：株式会社日立製作所
選択的エピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-224800 出願人：三星電子株式会社

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